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彭海琳教授、洛杉刘开辉研究员、陈宇林教授、袁洪涛教授的合影课题组介绍：彭海琳，北京大学博雅特聘教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者。ⅱ.ARPES显示了硒氧化铋的间接带隙宽度约为0.8eV图2硒氧化铋的表面形貌和统一的带隙(A)STM显示了开裂的硒氧化铋表面呈现出阶梯形貌，矶港阶梯边缘高度差达到0.61nm左右(B)ⅰ放大的STM图像显示了阶梯边缘附近区域。

燃料ⅲ.核级光电子能谱分别显示了铋和硒特定轨道的特征峰(C)ⅰ.霍尔迁移率以及载流子密度与硒氧化铋单晶温度的关系。围绕硒氧化铋电子结构开展的这一系列的实验和理论研究不仅加深了对新型二维半导体的认识，电池也推动了对硒氧化合物的研究进程。此外，货运通过改变材料的厚度还能调控带隙宽度。

【成果简介】近日，设施北京大学的彭海琳教授课题组以及牛津大学的陈宇林教授课题组（共同通讯作者）与上海科技大学联合团队合作，设施揭示了超高迁移率层状硒氧化铋半导体的电子结构及表面特性。美国目这一发现进一步表明硒氧化铋是发展新一代电子器件的理想材料。

近十年来，洛杉二维半导体以其高迁移率、带隙合理的特点成为发展新一代电子器件的热门材料。

矶港ⅱ以及ⅲ.原子级分辨表面拓扑学显示了由50%硒空位形成的表面织物模式。境内75吋及以上销量同比增幅达49.5%，燃料境外65吋及以上销售额同比增幅82.5%

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